Vishay Siliconix - SI2308BDS-T1-GE3

KEY Part #: K6419224

SI2308BDS-T1-GE3 التسعير (USD) [514079الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.07195
  • 3,000 pcs$0.06474

رقم القطعة:
SI2308BDS-T1-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - TRIACs, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - مقومات - صفائف, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة and الثنائيات - زينر - المصفوفات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SI2308BDS-T1-GE3 electronic components. SI2308BDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2308BDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2308BDS-T1-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SI2308BDS-T1-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
سلسلة : TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 2.3A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 156 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 6.8nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 190pF @ 30V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : SOT-23-3 (TO-236)
حزمة / القضية : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3