رقم القطعة :
PHK18NQ03LT,518
الصانع :
Nexperia USA Inc.
وصف :
MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
20.3A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
8.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.15V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
10.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1380pF @ 12V
تبديد الطاقة (ماكس) :
6.25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)