رقم القطعة :
SI1419DH-T1-E3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
300mA (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 100µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
6.2nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
-
تبديد الطاقة (ماكس) :
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SC-70-6 (SOT-363)
حزمة / القضية :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363