Microsemi Corporation - JAN1N4988CUS

KEY Part #: K6479712

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثايرستور - SCRs - وحدات and الثايرستور - DIACs ، SIDACs ...

Competitive Advantage:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4988CUS electronic components. JAN1N4988CUS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4988CUS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : JAN1N4988CUS

الصانع : Microsemi Corporation

وصف : DIODE ZENER 180V 5W D5B

سلسلة : Military, MIL-PRF-19500/356

حالة الجزء : Active

الجهد - زينر (الترشيح) (Vz) : 180V

تفاوت : ±2%

أقصى القوة : 5W

المعاوقة (ماكس) (Zzt) : 450 Ohms

الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 2µA @ 136.8V

الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.5V @ 1A

درجة حرارة التشغيل : -65°C ~ 175°C

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : E-MELF

حزمة جهاز المورد : D-5B

قد تكون أيضا مهتما ب

BAW156E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array
BAV70E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

أجزاء ساخنة