الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 100V 8-MLP
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
3.3A (Ta), 16A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
110 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
21nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
880pF @ 50V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.3W (Ta), 35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-MLP (3.3x3.3)
حزمة / القضية :
8-PowerWDFN