GeneSiC Semiconductor - MBR600200CT

KEY Part #: K6468492

وصف مفصل:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Forward

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - مقومات - صفائف, الثنائيات - RF and الثايرستور - DIACs ، SIDACs ...

Competitive Advantage:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CT electronic components. MBR600200CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : MBR600200CT

الصانع : GeneSiC Semiconductor

وصف : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

تكوين الصمام الثنائي : 1 Pair Common Cathode

نوع الصمام الثنائي : Schottky

الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 200V

الحالي - متوسط تصحيح (io) (لكل ديود) : 300A

الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 920mV @ 300A

سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

وقت الاسترداد العكسي (trr) : -

الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 3mA @ 200V

درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 150°C

تصاعد نوع : Chassis Mount

حزمة / القضية : Twin Tower

حزمة جهاز المورد : Twin Tower

قد تكون أيضا مهتما ب

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.