IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V3557S80PFGI8

KEY Part #: K938131

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: جزءا لا يتجزأ - ميكروكنترولر, واجهة - الاتصالات, المنطق - المقارنة, المرحلية المتخصصة, PMIC - RMS إلى محولات التيار المستمر, الذاكرة - برومز التكوين ل FPGAs, ذاكرة and الحصول على البيانات - الجهد الرقمية ...

Competitive Advantage:: We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3557S80PFGI8 electronic components. 71V3557S80PFGI8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V3557S80PFGI8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : 71V3557S80PFGI8

الصانع : IDT, Integrated Device Technology Inc

وصف : IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الذاكرة : Volatile

تنسيق الذاكرة : SRAM

تقنية : SRAM - Synchronous ZBT

حجم الذاكرة : 4.5Mb (128K x 36)

تردد على مدار الساعة : -

اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : -

وقت الوصول : 8ns

واجهة الذاكرة : Parallel

الجهد - العرض : 3.135V ~ 3.465V

درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : 100-LQFP

حزمة جهاز المورد : 100-TQFP (14x14)

قد تكون أيضا مهتما ب

AT27C4096-90PU

Microchip Technology

IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns
GD25S512MDFIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)