ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16320E-6BL-TR

KEY Part #: K937721

وصف مفصل:: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: PMIC - الكامل ، نصف جسر السائقين, PMIC - المشرفين, واجهة - وحدات, واجهة - الاتصالات, PMIC - مفاتيح توزيع الطاقة ، تحميل السائقين, PMIC - برامج تشغيل الليزر, PMIC - RMS إلى محولات التيار المستمر and الحصول على البيانات - التناظرية إلى المحولات الرقم ...

Competitive Advantage:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6BL-TR electronic components. IS43R16320E-6BL-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R16320E-6BL-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : IS43R16320E-6BL-TR

الصانع : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

وصف : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الذاكرة : Volatile

تنسيق الذاكرة : DRAM

تقنية : SDRAM - DDR

حجم الذاكرة : 512Mb (32M x 16)

تردد على مدار الساعة : 166MHz

اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : 15ns

وقت الوصول : 700ps

واجهة الذاكرة : Parallel

الجهد - العرض : 2.3V ~ 2.7V

درجة حرارة التشغيل : 0°C ~ 70°C (TA)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : 60-TFBGA

حزمة جهاز المورد : 60-TFBGA (13x8)

قد تكون أيضا مهتما ب

71V25761S166PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM
W9812G2KB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,
W9825G2JB-75

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,
W9825G2JB-6

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,
IS66WVC4M16EALL-7010BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.
W97AH2KBVX2I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C