ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16160B-25DBLA1

KEY Part #: K937459

IS46DR16160B-25DBLA1 التسعير (USD) [16954الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$3.23345
  • 209 pcs$3.21736

رقم القطعة:
IS46DR16160B-25DBLA1
الصانع:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
وصف مفصل:
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 256M, 1.8V, 333Mhz 16Mx16 DDR2 SDRAM
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: واجهة - مفاتيح التناظرية ، المضاعفات ، Demultiplex, مضمن - FPGAs (مصفوفة بوابة قابلة للبرمجة ميدانيًا), PMIC - برامج تشغيل الليزر, المنطق - عدادات ، فواصل, الخطية - مكبرات الصوت - الصوت, واجهة - مفاتيح التناظرية - الغرض الخاص, واجهة - المتخصصة and واجهة - تحكم ...
Competitive Advantage:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16160B-25DBLA1 electronic components. IS46DR16160B-25DBLA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46DR16160B-25DBLA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16160B-25DBLA1 سمات المنتج

رقم القطعة : IS46DR16160B-25DBLA1
الصانع : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
وصف : IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الذاكرة : Volatile
تنسيق الذاكرة : DRAM
تقنية : SDRAM - DDR2
حجم الذاكرة : 256Mb (16M x 16)
تردد على مدار الساعة : 400MHz
اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : 15ns
وقت الوصول : 400ps
واجهة الذاكرة : Parallel
الجهد - العرض : 1.7V ~ 1.9V
درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : 84-TFBGA
حزمة جهاز المورد : 84-TWBGA (8x12.5)

أحدث الأخبار

قد تكون أيضا مهتما ب
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • 71321SA55JG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor