Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34GHE3/83

KEY Part #: K6447646

[1353الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    EGL34GHE3/83
    الصانع:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    وصف مفصل:
    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الثنائيات - مقومات - واحدة, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثنائيات - مقومات - صفائف and الثنائيات - مقومات الجسر ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34GHE3/83 electronic components. EGL34GHE3/83 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL34GHE3/83, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGL34GHE3/83 سمات المنتج

    رقم القطعة : EGL34GHE3/83
    الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
    وصف : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
    سلسلة : SUPERECTIFIER®
    حالة الجزء : Discontinued at Digi-Key
    نوع الصمام الثنائي : Standard
    الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 400V
    الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 500mA
    الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.35V @ 500mA
    سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    وقت الاسترداد العكسي (trr) : 50ns
    الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 400V
    السعة @ Vr ، F : 7pF @ 4V, 1MHz
    تصاعد نوع : Surface Mount
    حزمة / القضية : DO-213AA (Glass)
    حزمة جهاز المورد : DO-213AA (GL34)
    درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 175°C

    قد تكون أيضا مهتما ب
    • RURD660S9A-F085

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

    • RURD660S9A-F085P

      ON Semiconductor

      UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

    • FFSD08120A

      ON Semiconductor

      1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

    • RURD460S9A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.