الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
نوع الترانزستور :
NPN - Pre-Biased
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) :
100mA
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) :
50V
المقاوم - قاعدة (R1) :
2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة باعث (R2) :
47 kOhms
كسب التيار المستمر (hFE) (Min) @ Ic ، Vce :
68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib، Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
الحالية - قطع جامع (ماكس) :
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال :
250MHz
حزمة / القضية :
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
حزمة جهاز المورد :
TO-92S