ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61DDB22M18A-250B4LI

KEY Part #: K920650

وصف مفصل:: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA. SRAM 36Mb, 2M x 18 DDR-II Sync SRAM

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: PMIC - AC DC محولات ، محولات دون اتصال, واجهة - أجهزة المودم - المرحلية والوحدات النمطية, PMIC - V / F و F / V محولات, واجهة - تحكم, واجهة - واجهات الاستشعار والكاشف, المنطق - عدادات ، فواصل, واجهة - مخازن إشارة ، الراسبين ، الخائن and ساعة / توقيت - مولدات على مدار الساعة ، PLLs ، تول ...

Competitive Advantage:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB22M18A-250B4LI electronic components. IS61DDB22M18A-250B4LI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS61DDB22M18A-250B4LI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : IS61DDB22M18A-250B4LI

الصانع : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

وصف : IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

سلسلة : -

حالة الجزء : Discontinued at Digi-Key

نوع الذاكرة : Volatile

تنسيق الذاكرة : SRAM

تقنية : SRAM - Synchronous, DDR II

حجم الذاكرة : 36Mb (2M x 18)

تردد على مدار الساعة : 250MHz

اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : -

وقت الوصول : 8.4ns

واجهة الذاكرة : Parallel

الجهد - العرض : 1.71V ~ 1.89V

درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : 165-LBGA

حزمة جهاز المورد : 165-LFBGA (13x15)

Silicom MinnowBoard Turbot

قد تكون أيضا مهتما ب

W25Q128BVEJG

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 128MB.
W25Q32FVZEJQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 32MB.
W25Q256FVEJF TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 256MB.
GD25VQ80CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
7130LA25TFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1K x 8 Dual Port High Speed RAM
W25Q32FVSFJQ

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 32MB.

أجزاء ساخنة