Sanken - SJPB-L4VL

KEY Part #: K6445408

SJPB-L4VL التسعير (USD) [389672الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.10016
  • 1,800 pcs$0.09967
  • 3,600 pcs$0.09032
  • 5,400 pcs$0.08410
  • 12,600 pcs$0.08305

رقم القطعة:
SJPB-L4VL
الصانع:
Sanken
وصف مفصل:
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SJP.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - SCRs, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - JFETs and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت ...
Competitive Advantage:
We specialize in Sanken SJPB-L4VL electronic components. SJPB-L4VL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SJPB-L4VL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SJPB-L4VL سمات المنتج

رقم القطعة : SJPB-L4VL
الصانع : Sanken
وصف : DIODE SCHOTTKY 40V 3A SJP
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Schottky
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 40V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 3A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 550mV @ 3A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : -
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 300µA @ 40V
السعة @ Vr ، F : -
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : 2-SMD, J-Lead
حزمة جهاز المورد : SJP
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -40°C ~ 150°C
قد تكون أيضا مهتما ب
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.