رقم القطعة :
SIRA18DP-T1-RE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
33A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
7.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
21.5nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1000pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
14.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® SO-8
حزمة / القضية :
PowerPAK® SO-8