رقم القطعة :
IRFHM8228TRPBF
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
25V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
19A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
18nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1667pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.8W (Ta), 34W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
حزمة / القضية :
8-PowerTDFN