رقم القطعة :
PHT11N06LT,135
وصف :
MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
55V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
4.9A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
40 mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
17nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1400pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-223
حزمة / القضية :
TO-261-4, TO-261AA