MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR التسعير (USD) [17042الأسهم قطعة]
- 1 pcs$2.68866
- 2,000 pcs$2.52852
- رقم القطعة:
- MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR
- الصانع:
- Micron Technology Inc.
- وصف مفصل:
- IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM SDRAM 256M 16MX16 TSOP
- الصانع المهلة القياسية:
- في المخزن
- مدة الصلاحية:
- سنة واحدة
- رقاقة من:
- هونج كونج
- بنفايات:
- طريقة الدفع او السداد:
-
- طريقة الشحن:
- فئات الأسرة:
- KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: جزءا لا يتجزأ - ميكروكنترولر - تطبيق معين, المنطق - متعدد الهزاز, المنطق - مولدات التكافؤ والمدققون, PMIC - منظمات الجهد - تحكم منظم الخطي, PMIC - مفاتيح توزيع الطاقة ، تحميل السائقين, PMIC - منظمات الجهد - التبديل الخطي +, المنطق - المترجمون ، المغيرون المستوى and المنطق - المنطق التخصصي ...
- Competitive Advantage:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR electronic components. MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR سمات المنتج
رقم القطعة :
MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR
الصانع :
Micron Technology Inc.
وصف :
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
سلسلة :
-
حالة الجزء :
Active
نوع الذاكرة :
Volatile
تنسيق الذاكرة :
DRAM
تقنية :
SDRAM
حجم الذاكرة :
256Mb (16M x 16)
تردد على مدار الساعة :
167MHz
اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة :
12ns
وقت الوصول :
5.4ns
واجهة الذاكرة :
Parallel
الجهد - العرض :
3V ~ 3.6V
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 85°C (TA)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
حزمة جهاز المورد :
54-TSOP II
أحدث الأخبار
قد تكون أيضا مهتما ب
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
71V25761S183PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
أجزاء ساخنة
- AT49BV163D-70TU-T
- MT48LC4M16A2TG-6 IT:G
- MT46V32M16FN-5B:F
- MT46V256M4P-6T:A
- AT49BV002ANT-70PI
- CY7C128A-15PC
- AT27C512R-90RI
- AT24C04N-10SI
- MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C
- 25AA640A-I/S16K
- S99GL01GP11TFIR10
- MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
- IS42SM32400G-75BLI-TR
- LE25FW056CS-TRM-E
- AT28HC64BF-70SU
- MT42L256M64D4LM-25 WT:A
- MT41DCHA-V80A:E
- MT29C4G96MAZBACKD-5 WT
- CY7C1380C-167AC
- AT28C64E-12TI
- W25Q32FVSSIG
- S25FL064P0XNFI001
- AT25DF041A-MHF-Y
- MT45W1MW16BDGB-701 IT
- MT41K512M4HX-187E:D
- CY7C1360S-166BZC
- CAT28F010HI12
- IDT71V35761S200PF8
- IDT71256SA12PZ8
- W631GG6KB12I TR
- S70FL01GSAGBHIC13
- 70V05L20J8
- 7038L15PF8
- S34ML02G104BHA010
- CY7C1263V18-375BZXC
- MT29F8G08AAAWP:A TR
- CY14B101K-SP35XCT
- IS42S16160B-6T
- CY7C1399BL-12ZXCT
- S25FL128SDPMFIG03