Vishay Siliconix - SQM50P03-07_GE3

KEY Part #: K6396327

SQM50P03-07_GE3 التسعير (USD) [69584الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.99090
  • 10 pcs$0.89641
  • 100 pcs$0.72022
  • 500 pcs$0.56017
  • 1,000 pcs$0.46414

رقم القطعة:
SQM50P03-07_GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثايرستور - TRIACs and الثنائيات - زينر - واحد ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SQM50P03-07_GE3 electronic components. SQM50P03-07_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM50P03-07_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM50P03-07_GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SQM50P03-07_GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
سلسلة : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : P-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 50A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 5380pF @ 25V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TA)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : TO-263 (D²Pak)
حزمة / القضية : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB