Vishay Siliconix - SUD90330E-GE3

KEY Part #: K6419688

SUD90330E-GE3 التسعير (USD) [125329الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.29512

رقم القطعة:
SUD90330E-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - JFETs, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SUD90330E-GE3 electronic components. SUD90330E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD90330E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUD90330E-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SUD90330E-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
سلسلة : ThunderFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 35.8A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 37.5 mOhm @ 12.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1172pF @ 100V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : TO-252AA
حزمة / القضية : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

قد تكون أيضا مهتما ب