Vishay Siliconix - SIA817EDJ-T1-GE3

KEY Part #: K6417143

SIA817EDJ-T1-GE3 التسعير (USD) [471021الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.07853
  • 3,000 pcs$0.07418

رقم القطعة:
SIA817EDJ-T1-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الثايرستور - TRIACs, الثايرستور - DIACs ، SIDACs and الثنائيات - مقومات الجسر ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SIA817EDJ-T1-GE3 electronic components. SIA817EDJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA817EDJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA817EDJ-T1-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SIA817EDJ-T1-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
سلسلة : LITTLE FOOT®
حالة الجزء : Active
نوع FET : P-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 4.5A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 65 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±12V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 600pF @ 15V
ميزة FET : Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (ماكس) : 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PowerPAK® SC-70-6 Dual
حزمة / القضية : PowerPAK® SC-70-6 Dual

قد تكون أيضا مهتما ب
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.

  • FDD5N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V DPAK-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.