وصف :
MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
200mA (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
75 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
4.7nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
104pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
33W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
TO-252, (D-Pak)
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63