ON Semiconductor - HUFA75829D3ST

KEY Part #: K6410508

[14111الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    HUFA75829D3ST
    الصانع:
    ON Semiconductor
    وصف مفصل:
    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الثنائيات - زينر - واحد and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in ON Semiconductor HUFA75829D3ST electronic components. HUFA75829D3ST can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUFA75829D3ST, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HUFA75829D3ST سمات المنتج

    رقم القطعة : HUFA75829D3ST
    الصانع : ON Semiconductor
    وصف : MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
    سلسلة : UltraFET™
    حالة الجزء : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
    استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 150V
    الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 18A (Tc)
    جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id، Vgs : 110 mOhm @ 18A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 70nC @ 20V
    Vgs (ماكس) : ±20V
    سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1080pF @ 25V
    ميزة FET : -
    تبديد الطاقة (ماكس) : 110W (Tc)
    درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
    تصاعد نوع : Surface Mount
    حزمة جهاز المورد : TO-252AA
    حزمة / القضية : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63