رقم القطعة :
SI7164DP-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
60A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
6.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
75nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2830pF @ 30V
تبديد الطاقة (ماكس) :
6.25W (Ta), 104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® SO-8
حزمة / القضية :
PowerPAK® SO-8