الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
600V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
9.5A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
730 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
57nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2040pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3.13W (Ta), 156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
D²PAK (TO-263AB)
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB