رقم القطعة :
DMN2600UFB-7
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
25V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
1.3A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
0.85nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
70.13pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
540mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
3-DFN1006 (1.0x0.6)