رقم القطعة :
BSM180D12P3C007
الصانع :
Rohm Semiconductor
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET :
Silicon Carbide (SiC)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1200V (1.2kV)
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 50mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
900pF @ 10V
درجة حرارة التشغيل :
175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
Module