رقم القطعة :
AUIRS20162STR
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SOIC
سلسلة :
Automotive, AEC-Q100
التكوين مدفوعة :
High-Side
نوع البوابة :
N-Channel MOSFET
الجهد - العرض :
4.4V ~ 20V
الجهد المنطقي - VIL ، VIH :
-
التيار - خرج الذروة (المصدر ، المغسلة) :
250mA, 250mA
نوع الإدخال :
Non-Inverting
الجهد العالي الجانب - ماكس (التمهيد) :
150V
ارتفاع / سقوط الوقت (الطباع) :
200ns, 200ns
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 155°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد :
8-SOIC