Vishay Semiconductor Diodes Division - FESE16JT-E3/45

KEY Part #: K6442302

FESE16JT-E3/45 التسعير (USD) [3180الأسهم قطعة]

  • 2,000 pcs$0.22093

رقم القطعة:
FESE16JT-E3/45
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - مقومات - صفائف, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الترانزستورات - الغرض الخاص and الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors) ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESE16JT-E3/45 electronic components. FESE16JT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESE16JT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESE16JT-E3/45 سمات المنتج

رقم القطعة : FESE16JT-E3/45
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC
سلسلة : -
حالة الجزء : Obsolete
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 600V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 16A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.5V @ 16A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 50ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 10µA @ 600V
السعة @ Vr ، F : 145pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Through Hole
حزمة / القضية : TO-220-2
حزمة جهاز المورد : TO-220AC
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 150°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • RJU6052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

  • RJU4352SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

  • RJU3052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

  • CMDD6001 BK

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • MBR1660-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60Volt Single

  • VS-MURB820-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK. Rectifiers 200V 8A TO-263 Fred Pt