Vishay Siliconix - SQD40P10-40L_GE3

KEY Part #: K6418605

SQD40P10-40L_GE3 التسعير (USD) [69974الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.55879
  • 2,000 pcs$0.50291

رقم القطعة:
SQD40P10-40L_GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET P-CHAN 100V TO252.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت and الترانزستورات - JFETs ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SQD40P10-40L_GE3 electronic components. SQD40P10-40L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQD40P10-40L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD40P10-40L_GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SQD40P10-40L_GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET P-CHAN 100V TO252
سلسلة : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : P-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 38A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 144nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 5540pF @ 15V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : TO-252AA
حزمة / القضية : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63