الصانع :
Rohm Semiconductor
وصف :
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
حالة الجزء :
Not For New Designs
نوع الترانزستور :
NPN - Pre-Biased
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) :
200mA
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) :
30V
المقاوم - قاعدة (R1) :
2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة باعث (R2) :
10 kOhms
كسب التيار المستمر (hFE) (Min) @ Ic ، Vce :
140 @ 100mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib، Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
الحالية - قطع جامع (ماكس) :
500nA
التردد - الانتقال :
260MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount