Diodes Incorporated - ES2BA-13-F

KEY Part #: K6455825

ES2BA-13-F التسعير (USD) [613657الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.06027
  • 5,000 pcs$0.05395
  • 10,000 pcs$0.05047
  • 25,000 pcs$0.04629

رقم القطعة:
ES2BA-13-F
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 100V 2A SMA. Rectifiers 100V 2A
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - TRIACs, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة and الترانزستورات - JFETs ...
Competitive Advantage:
We specialize in Diodes Incorporated ES2BA-13-F electronic components. ES2BA-13-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2BA-13-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2BA-13-F سمات المنتج

رقم القطعة : ES2BA-13-F
الصانع : Diodes Incorporated
وصف : DIODE GEN PURP 100V 2A SMA
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 100V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 2A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 920mV @ 2A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 25ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 100V
السعة @ Vr ، F : 25pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : DO-214AC, SMA
حزمة جهاز المورد : SMA
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 150°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4150W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns