وصف :
GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
تقنية :
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
40V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
53A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 9mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
8.7nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1180pF @ 20V
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount