Vishay Siliconix - SI4462DY-T1-E3

KEY Part #: K6408653

[553الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    SI4462DY-T1-E3
    الصانع:
    Vishay Siliconix
    وصف مفصل:
    MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثنائيات - مقومات - واحدة, الثنائيات - مقومات الجسر, الثنائيات - RF, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4462DY-T1-E3 electronic components. SI4462DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4462DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4462DY-T1-E3 سمات المنتج

    رقم القطعة : SI4462DY-T1-E3
    الصانع : Vishay Siliconix
    وصف : MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
    سلسلة : TrenchFET®
    حالة الجزء : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
    استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 200V
    الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 1.15A (Ta)
    جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id، Vgs : 480 mOhm @ 1.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 9nC @ 10V
    Vgs (ماكس) : ±20V
    سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : -
    ميزة FET : -
    تبديد الطاقة (ماكس) : 1.3W (Ta)
    درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
    تصاعد نوع : Surface Mount
    حزمة جهاز المورد : 8-SO
    حزمة / القضية : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)