رقم القطعة :
IPG20N06S4L14ATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
سلسلة :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
حالة الجزء :
Discontinued at Digi-Key
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET :
Logic Level Gate
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
20A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
13.7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 20µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
39nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2890pF @ 25V
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد :
PG-TDSON-8-4