رقم القطعة :
GA20JT12-263
الصانع :
GeneSiC Semiconductor
وصف :
TRANS SJT 1200V 45A
تقنية :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
45A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
60 mOhm @ 20A
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
3091pF @ 800V
تبديد الطاقة (ماكس) :
282W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
D2PAK (7-Lead)
حزمة / القضية :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA