Vishay Semiconductor Diodes Division - GF1J-E3/67A

KEY Part #: K6455508

GF1J-E3/67A التسعير (USD) [611250الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.06385
  • 1,500 pcs$0.06354
  • 3,000 pcs$0.05793
  • 7,500 pcs$0.05420
  • 10,500 pcs$0.05046
  • 37,500 pcs$0.04983

رقم القطعة:
GF1J-E3/67A
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA. Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثنائيات - مقومات - واحدة, وحدات سائق السلطة and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GF1J-E3/67A electronic components. GF1J-E3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GF1J-E3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GF1J-E3/67A سمات المنتج

رقم القطعة : GF1J-E3/67A
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
سلسلة : SUPERECTIFIER®
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 600V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 1A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.1V @ 1A
سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 2µs
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 600V
السعة @ Vr ، F : -
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : DO-214BA
حزمة جهاز المورد : DO-214BA (GF1)
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 175°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • FFD10UP20S

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 10A DPAK. Rectifiers 200V 10A Ultrafast

  • C3D04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A

  • CSD01060E-TR

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V

  • BAS21E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A

  • BAT64E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • MMBD1201

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast