رقم القطعة :
APTSM120AM08CT6AG
الصانع :
Microsemi Corporation
نوع FET :
2 N-Channel (Dual), Schottky
ميزة FET :
Silicon Carbide (SiC)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1200V (1.2kV)
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
10 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 10mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
1360nC @ 20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
-
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Chassis Mount