Vishay Semiconductor Diodes Division - UHB10FT-E3/8W

KEY Part #: K6456443

UHB10FT-E3/8W التسعير (USD) [116617الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.31717
  • 800 pcs$0.29706

رقم القطعة:
UHB10FT-E3/8W
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 300V 10A D2PAK.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - RF, الثنائيات - مقومات الجسر, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت and الترانزستورات - الغرض الخاص ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UHB10FT-E3/8W electronic components. UHB10FT-E3/8W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UHB10FT-E3/8W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UHB10FT-E3/8W سمات المنتج

رقم القطعة : UHB10FT-E3/8W
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 300V 10A D2PAK
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 300V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 10A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.2V @ 10A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 35ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 300V
السعة @ Vr ، F : -
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد : D2PAK
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 175°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • SL03-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V

  • FESB8DTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single

  • BYWB29-100HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass

  • BYWB29-200HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass

  • BYWB29-50HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass

  • BYWB29-150HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 150 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass