GeneSiC Semiconductor - MBR600200CTR

KEY Part #: K6468517

وصف مفصل:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Reverse

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - مقومات - واحدة, الثنائيات - مقومات الجسر, الثنائيات - زينر - واحد, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, وحدات سائق السلطة, الثنائيات - RF, الترانزستورات - IGBTs - وحدات and الثنائيات - مقومات - صفائف ...

Competitive Advantage:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR electronic components. MBR600200CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : MBR600200CTR

الصانع : GeneSiC Semiconductor

وصف : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

تكوين الصمام الثنائي : 1 Pair Common Anode

نوع الصمام الثنائي : Schottky

الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 200V

الحالي - متوسط تصحيح (io) (لكل ديود) : 300A

الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 920mV @ 300A

سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

وقت الاسترداد العكسي (trr) : -

الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 3mA @ 200V

درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 150°C

تصاعد نوع : Chassis Mount

حزمة / القضية : Twin Tower

حزمة جهاز المورد : Twin Tower

قد تكون أيضا مهتما ب

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
MMBF4416A

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 15MA SOT23.
2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

JFET N-CH SOT23.
BF999E6327HTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.
MMBD1405A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
BAS4005E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

أجزاء ساخنة