رقم القطعة :
FGA30N60LSDTU
الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
IGBT 600V 60A 480W TO3PN
نوع IGBT :
Trench Field Stop
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) :
600V
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) :
60A
الحالية - جامع نابض (ICM) :
90A
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic :
1.4V @ 15V, 30A
تحويل الطاقة :
1.1mJ (on), 21mJ (off)
يوم (تشغيل / إيقاف) @ 25 درجة مئوية :
18ns/250ns
شرط الاختبار :
400V, 30A, 6.8 Ohm, 15V
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
35ns
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة / القضية :
TO-3P-3, SC-65-3