رقم القطعة :
DGD21814S14-13
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
التكوين مدفوعة :
Half-Bridge
نوع البوابة :
IGBT, N-Channel MOSFET
الجهد - العرض :
10V ~ 20V
الجهد المنطقي - VIL ، VIH :
0.8V, 2.5V
التيار - خرج الذروة (المصدر ، المغسلة) :
1.9A, 2.3A
نوع الإدخال :
Non-Inverting
الجهد العالي الجانب - ماكس (التمهيد) :
600V
ارتفاع / سقوط الوقت (الطباع) :
40ns, 20ns
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)