رقم القطعة :
IPD50N06S4L12ATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
حالة الجزء :
Discontinued at Digi-Key
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
50A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
12 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 20µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
40nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2890pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PG-TO252-3-11
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63