الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
18A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
65 mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
22nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
675pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.1W (Ta), 55W (Tj)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63