الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
400V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
3.1A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.8 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
20nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
350pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.5W (Ta), 42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63