ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16160F-6BLI-TR

KEY Part #: K939276

وصف مفصل:: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: واجهة - I / O موسعات, PMIC - V / F و F / V محولات, واجهة - مرشحات - نشط, مضمن - FPGAs (مصفوفة بوابة قابلة للبرمجة ميدانيًا), واجهة - إشارة النهاية, PMIC - برامج تشغيل الليزر, الخطية - معالجة الفيديو and PMIC - الكامل ، نصف جسر السائقين ...

Competitive Advantage:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6BLI-TR electronic components. IS43R16160F-6BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R16160F-6BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : IS43R16160F-6BLI-TR

الصانع : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

وصف : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الذاكرة : Volatile

تنسيق الذاكرة : DRAM

تقنية : SDRAM - DDR

حجم الذاكرة : 256Mb (16M x 16)

تردد على مدار الساعة : 166MHz

اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : 15ns

وقت الوصول : 700ps

واجهة الذاكرة : Parallel

الجهد - العرض : 2.3V ~ 2.7V

درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : 60-TFBGA

حزمة جهاز المورد : 60-TFBGA (13x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

قد تكون أيضا مهتما ب

U62256ADK07LLG1

Alliance Memory, Inc.

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.
W632GG8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

أجزاء ساخنة