رقم القطعة :
SIA444DJT-T4-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 30V SMD
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
11A (Ta), 12A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
17 mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
15nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
560pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® SC-70-6 Single
حزمة / القضية :
PowerPAK® SC-70-6