Toshiba Semiconductor and Storage - TPW4R50ANH,L1Q

KEY Part #: K6416395

TPW4R50ANH,L1Q التسعير (USD) [122345الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.31034
  • 5,000 pcs$0.30880

رقم القطعة:
TPW4R50ANH,L1Q
الصانع:
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF ...
Competitive Advantage:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH,L1Q electronic components. TPW4R50ANH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPW4R50ANH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPW4R50ANH,L1Q سمات المنتج

رقم القطعة : TPW4R50ANH,L1Q
الصانع : Toshiba Semiconductor and Storage
وصف : MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
سلسلة : U-MOSVIII-H
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 92A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 4.5 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 5200pF @ 50V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 800mW (Ta), 142W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : 8-DSOP Advance
حزمة / القضية : 8-PowerVDFN

قد تكون أيضا مهتما ب
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.