الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
50A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
16 mOhm @ 25A, 10V
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
58nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
3150pF @ 20V
تبديد الطاقة (ماكس) :
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
ATPAK (2 leads+tab)