ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS34ML01G081-TLI

KEY Part #: K938123

وصف مفصل:: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP. NAND Flash 1G 3V x8 1-bit NAND Flash

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: PMIC - V / F و F / V محولات, المرحلية المتخصصة, الصوت الغرض الخاص, منطق - سجلات التحول, الحصول على البيانات - المحولات الرقمية إلى التناظر, ساعة / توقيت - تطبيق معين, المنطق - متعدد الهزاز and واجهة - I / O موسعات ...

Competitive Advantage:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML01G081-TLI electronic components. IS34ML01G081-TLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS34ML01G081-TLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : IS34ML01G081-TLI

الصانع : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

وصف : IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الذاكرة : Non-Volatile

تنسيق الذاكرة : FLASH

تقنية : FLASH - NAND (SLC)

حجم الذاكرة : 1Gb (128M x 8)

تردد على مدار الساعة : -

اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : 25ns

وقت الوصول : 25ns

واجهة الذاكرة : Parallel

الجهد - العرض : 2.7V ~ 3.6V

درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

حزمة جهاز المورد : 48-TSOP

Silicom MinnowBoard Turbot

قد تكون أيضا مهتما ب

GD25S512MDFIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

أجزاء ساخنة