Vishay Semiconductor Diodes Division - AS3PMHM3/86A

KEY Part #: K6445411

[2117الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    AS3PMHM3/86A
    الصانع:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    وصف مفصل:
    DIODE AVALANCHE 1KV 2.1A TO277.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الثنائيات - مقومات الجسر, الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الثنائيات - مقومات - صفائف, الثايرستور - DIACs ، SIDACs and الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division AS3PMHM3/86A electronic components. AS3PMHM3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS3PMHM3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    AS3PMHM3/86A سمات المنتج

    رقم القطعة : AS3PMHM3/86A
    الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
    وصف : DIODE AVALANCHE 1KV 2.1A TO277
    سلسلة : eSMP®
    حالة الجزء : Discontinued at Digi-Key
    نوع الصمام الثنائي : Avalanche
    الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 1000V
    الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 2.1A (DC)
    الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 920mV @ 1.5A
    سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    وقت الاسترداد العكسي (trr) : 1.2µs
    الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 10µA @ 1000V
    السعة @ Vr ، F : 37pF @ 4V, 1MHz
    تصاعد نوع : Surface Mount
    حزمة / القضية : TO-277, 3-PowerDFN
    حزمة جهاز المورد : TO-277A (SMPC)
    درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 175°C

    قد تكون أيضا مهتما ب
    • C2D05120E

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

    • VS-20ETF04FPPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

    • IDB23E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

    • IDB12E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

    • VS-80EPS08PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

    • VS-80EPF12PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.